6英寸SiC导电型衬底单晶片规格书

等级

工业级（P -MOS级）

工业级（P-SBD 级）

试片级（D 级）

陪片级（NG级）

晶体参数

表面取向

4.0°toward<11-20>±0.25°

NA

  4H 晶型面积

100%

有效面积 

≥98%

≥90%

＜90%

机械参数

直径（mm）

150±0.2

＜149.8或>150.2

主参考面取向

<10- 10>±5.0°

NA

主参考面长度（mm）

47.5±1.5

＜46或>49

次参考面

无

厚度(μm）

350±20

350±25

300～325或>375

TTV(μm）

≤5

≤10

≤15

>15

LTVave  (μm）

≤1

≤3

>3

LTVmax  (μm）

≤2

≤3

≤5

>5

Bow  (μm）

-10～10

-20～20

-25～25

＜-25或＞25

Warp (μm）

≤25

≤40

>40

Si面粗糙度（nm）

＜0.2

NA

电学参数

电阻率  (Ω·cm）

 0.015～0.025

0.015～0.028

0.015～0.03

掺杂剂

N 型 掺氮

缺陷参数

六方夹杂

（强光/显微镜/表面缺陷检测仪）

无

无

有

碳包裹物密度（个/cm2）

≤0.1

≤0.1

≤0.5

>0.5

基平面位错BPD

≤800

≤3000

≤9000

>9000

螺位错TSD

≤200

≤500

≤1000

>1000

刃位错TED

≤3000

≤3000

≤7000

>7000

微管密度（个/cm2）

≤0.1

≤0.5

>0.5

正面质量（Si面）

Si面处理

Si面CMP

裂纹 （强光灯）

无

有

划痕（强光灯）

无

有

凹坑（强光灯）

无

有

磕边 （强光灯）

无

有

崩边（ mm）

（显微镜）

长度＜0.5 ，深度＜0.2

NA

缺边 （显微镜）

无

有

六方孔洞 （强光灯）

无

有

Si面颗粒聚集（表面缺陷检测仪）

无

有

划痕占比 （表面缺陷检测仪）

≤5%

>5%

划痕累计长度（mm）(表面缺陷检测仪)

累计长度≤100

累计长度≤300

累计长度＞300

堆垛层错(表面缺陷检测仪)

≤0.5%

≤1%

>1%

NA

凹坑（个）(表面缺陷检测仪)

≤20

≤50

≤100

>100

背面质量（C面）

C面处理

C面抛光

背面划痕（强光灯）

目测无划痕

NA

背面粗糙度

＜1nm

背面激光标记

单线打标，距离主边长度1mm，距离两边（主边端点垂线） 12- 15mm, 激光刻字深度0-10μm

崩边（强光灯）

无

有

边缘轮廓

边缘轮廓

倒角处理

包装

包装

多片或单片包装，开盒即用